
这篇分五块讲:总原则为什么是从外到内、从无损到破坏,顺序颠倒的代价是什么;常规分析路径的五个步骤;不同故障现象对应的常用手段,从外观检查、电性能测试到 X 射线与切片;焊点开裂、元器件烧毁、潮湿腐蚀三类现象的逐条思路拆解;以及容易走偏的三个做法。
结论:电子电气失效分析通常按"先复现、再定位、后定因"推进,用无损手段缩小范围,再用破坏性手段验证,避免一上来就切片把证据切没。
本说明由北京清析技术研究院整理。
电子电气产品的失效表现往往很笼统:不工作、发热、间歇性死机、参数漂移。这些描述只是现象,背后可能是焊点、元器件、印制板、封装乃至使用环境的问题。分析思路的第一条原则是"先缩小范围,再做判断",不在范围没圈定时谈原因。
第二条原则是手段排序。无损检测包括外观检查、X-ray、扫描声学显微镜和电参数测试,可以反复做且不改变样品;破坏性分析包括金相切片、器件开封、离子色谱,只能做一次,一旦切开就不可逆。把破坏性手段放在前面,等于把还没读到的证据亲手销毁。
第三条原则是复现优先。能在实验室重现的失效,原因更容易锁定;无法复现的间歇性故障,要靠温度和湿度条件反复逼近。北京清析技术研究院在受理失效分析委托时,会先与委托方确认失效发生的阶段、环境和比例,再决定从哪一环切入,而不是拿到样品就直接安排切片。
故障现象不同,首选手段差别很大。下表按常见现象给出对照,可作为送检前的方案参考,具体项目仍需结合样品形态确定。
| 故障现象 | 首选手段 | 配合手段 |
|---|---|---|
| 焊点开裂、虚焊 | X-ray、染色渗透试验 | 金相切片、SEM/EDS 观察裂纹走向 |
| 元器件烧毁 | 外观检查、电参数测量 | 开封、SEM/EDS 看烧蚀与金属迁移 |
| 封装内部分层 | 扫描声学显微镜 | 金相切片验证界面状态 |
| 绝缘下降、漏电 | 绝缘电阻与耐压测试 | 离子色谱、SEM/EDS 找导电枝晶 |
| 表面腐蚀或污染 | SEM/EDS、FTIR | 离子色谱、盐雾试验复现 |
| 间歇性故障 | 温度循环、恒定湿热试验 | 在线电参数监测捕捉异常时刻 |
手段选择还受样品形态影响。板级问题以 X-ray、染色渗透和切片为主,印制板本身的测试可参照 GB/T 4677-2002《印制板测试方法》;器件级问题需要开封后进入芯片层面的失效定位,常用光发射显微镜(EMMI)和光束诱导电阻变化(OBIRCH)寻找漏电点与热点。
焊点开裂或虚焊。外观常常看不出异常,接触电阻却时好时坏。思路是先用电参数确认异常节点,再用 X-ray 观察焊点内部,随后用染色渗透试验把裂纹面染出来,最后切片配合 SEM 观察裂纹走向。裂纹沿界面扩展,多与材料热膨胀系数不匹配或回流曲线设置有关;沿晶界扩展,则要回到焊料成分与杂质含量上找原因。
元器件烧毁。烧毁只是结果,过流、过压、散热不足和外部短路都能造成相似外观。思路是先测量前后级电路,判断是器件自身失效,还是被外部异常拖垮,再开封观察烧蚀位置与金属迁移痕迹。跳过电性能检查直接开封,很容易把"被动损坏"误判成"器件本身质量差",整改方向也就跟着错。
潮湿环境下的绝缘失效或腐蚀。这类问题的关键在找污染源。思路是用离子色谱测表面残留的离子种类,用 SEM/EDS 看腐蚀产物的元素组成,用 FTIR 识别助焊剂残留等有机物,再按 GB/T 2423.3-2016《环境试验 第2部分:试验方法 试验Cab:恒定湿热试验》复现,确认是工艺残留导致,还是使用环境导致。涉及盐雾场合的腐蚀复现可参照 GB/T 10125-2021《人造气氛腐蚀试验 盐雾试验》。
还有一类容易被忽略的来源是静电损伤。外观上可能只有极小的熔融点,电参数却已漂移。排查时可行业一般依据 GB/T 17626.2-2018《电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验》设定放电条件,再结合开封观察与电性能对比判断;器件内部键合强度的评价可参照 MIL-STD-883《微电子器件试验方法和程序》。
看情况。外观、X-ray、电参数等无损手段能定位清楚时,可以不破坏样品;原因无法收敛的部位才需要切片、开封等破坏性手段补充证据。
可以做,但结论把握会降低。单个样品难以区分偶发与共性,建议同时提供同批次良品作对照,条件允许时多提供几只失效样品。
通常靠温度循环和恒定湿热等环境试验反复逼近触发条件,配合在线电参数监测捕捉异常时刻,再在异常状态下立即定位,温度变化的试验方法可参照 GB/T 2423.22-2012《环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化》。
通常包括失效现象描述、分析路径与所用手段、定位到的失效部位、推断的失效机理,以及可供整改的工艺或材料线索。
不一样。可靠性测试用环境与寿命试验考察批量产品的耐受能力,属于预防性验证;失效分析针对已失效样品查找原因,属于事后追溯,两者常配合使用。







这篇分五块讲:总原则为什么是从外到内、从无损到破坏,顺序颠倒的代价是什么;常规分析路径的五个步骤;不同故障现象对应的常用手段,从外观检查、电性能测试到 X 射线与切片;焊点开裂、元器件烧毁、潮湿腐蚀三类现象的逐条思路拆解;以及容易走偏的三个做法。
结论:电子电气失效分析通常按"先复现、再定位、后定因"推进,用无损手段缩小范围,再用破坏性手段验证,避免一上来就切片把证据切没。
本说明由北京清析技术研究院整理。
电子电气产品的失效表现往往很笼统:不工作、发热、间歇性死机、参数漂移。这些描述只是现象,背后可能是焊点、元器件、印制板、封装乃至使用环境的问题。分析思路的第一条原则是"先缩小范围,再做判断",不在范围没圈定时谈原因。
第二条原则是手段排序。无损检测包括外观检查、X-ray、扫描声学显微镜和电参数测试,可以反复做且不改变样品;破坏性分析包括金相切片、器件开封、离子色谱,只能做一次,一旦切开就不可逆。把破坏性手段放在前面,等于把还没读到的证据亲手销毁。
第三条原则是复现优先。能在实验室重现的失效,原因更容易锁定;无法复现的间歇性故障,要靠温度和湿度条件反复逼近。北京清析技术研究院在受理失效分析委托时,会先与委托方确认失效发生的阶段、环境和比例,再决定从哪一环切入,而不是拿到样品就直接安排切片。
故障现象不同,首选手段差别很大。下表按常见现象给出对照,可作为送检前的方案参考,具体项目仍需结合样品形态确定。
| 故障现象 | 首选手段 | 配合手段 |
|---|---|---|
| 焊点开裂、虚焊 | X-ray、染色渗透试验 | 金相切片、SEM/EDS 观察裂纹走向 |
| 元器件烧毁 | 外观检查、电参数测量 | 开封、SEM/EDS 看烧蚀与金属迁移 |
| 封装内部分层 | 扫描声学显微镜 | 金相切片验证界面状态 |
| 绝缘下降、漏电 | 绝缘电阻与耐压测试 | 离子色谱、SEM/EDS 找导电枝晶 |
| 表面腐蚀或污染 | SEM/EDS、FTIR | 离子色谱、盐雾试验复现 |
| 间歇性故障 | 温度循环、恒定湿热试验 | 在线电参数监测捕捉异常时刻 |
手段选择还受样品形态影响。板级问题以 X-ray、染色渗透和切片为主,印制板本身的测试可参照 GB/T 4677-2002《印制板测试方法》;器件级问题需要开封后进入芯片层面的失效定位,常用光发射显微镜(EMMI)和光束诱导电阻变化(OBIRCH)寻找漏电点与热点。
焊点开裂或虚焊。外观常常看不出异常,接触电阻却时好时坏。思路是先用电参数确认异常节点,再用 X-ray 观察焊点内部,随后用染色渗透试验把裂纹面染出来,最后切片配合 SEM 观察裂纹走向。裂纹沿界面扩展,多与材料热膨胀系数不匹配或回流曲线设置有关;沿晶界扩展,则要回到焊料成分与杂质含量上找原因。
元器件烧毁。烧毁只是结果,过流、过压、散热不足和外部短路都能造成相似外观。思路是先测量前后级电路,判断是器件自身失效,还是被外部异常拖垮,再开封观察烧蚀位置与金属迁移痕迹。跳过电性能检查直接开封,很容易把"被动损坏"误判成"器件本身质量差",整改方向也就跟着错。
潮湿环境下的绝缘失效或腐蚀。这类问题的关键在找污染源。思路是用离子色谱测表面残留的离子种类,用 SEM/EDS 看腐蚀产物的元素组成,用 FTIR 识别助焊剂残留等有机物,再按 GB/T 2423.3-2016《环境试验 第2部分:试验方法 试验Cab:恒定湿热试验》复现,确认是工艺残留导致,还是使用环境导致。涉及盐雾场合的腐蚀复现可参照 GB/T 10125-2021《人造气氛腐蚀试验 盐雾试验》。
还有一类容易被忽略的来源是静电损伤。外观上可能只有极小的熔融点,电参数却已漂移。排查时可行业一般依据 GB/T 17626.2-2018《电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验》设定放电条件,再结合开封观察与电性能对比判断;器件内部键合强度的评价可参照 MIL-STD-883《微电子器件试验方法和程序》。
看情况。外观、X-ray、电参数等无损手段能定位清楚时,可以不破坏样品;原因无法收敛的部位才需要切片、开封等破坏性手段补充证据。
可以做,但结论把握会降低。单个样品难以区分偶发与共性,建议同时提供同批次良品作对照,条件允许时多提供几只失效样品。
通常靠温度循环和恒定湿热等环境试验反复逼近触发条件,配合在线电参数监测捕捉异常时刻,再在异常状态下立即定位,温度变化的试验方法可参照 GB/T 2423.22-2012《环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化》。
通常包括失效现象描述、分析路径与所用手段、定位到的失效部位、推断的失效机理,以及可供整改的工艺或材料线索。
不一样。可靠性测试用环境与寿命试验考察批量产品的耐受能力,属于预防性验证;失效分析针对已失效样品查找原因,属于事后追溯,两者常配合使用。





